Jenis dan cara kinerja memori ram-oke jumpa lagi di blog
cora-san.blogspot.com kali ini saya ingin bagi ilmu mengenai jenis dan cara
kerja memori ram ok langsung saja.
Yang pertama:
Sebelum membahas tentang jenis dan kinerja memori memori
anda perlu tahu latency,bagi yang sering pegang komputer pasti pernah lihat
atau dengar istilah latency.
Latency merupakan delay (atau waktu yang dibutuhkan) CPU
untuk mengakses data pada memori.
1.DRAM
Pada jenis DRAM sebelumnya,akses data
memerlukan alamat baris dan kolom untuk setiap sel.Hal ini memakan waktu karena
setiap pembacaan/penulisan satu sel memori ada proses pengaktifan/RAS dan/CAS.
Untuk mempersingkat latency diciptakan Fast
Page Mode (FPM) DRAM.Dengan FPM,pada proses pembacaan/RAS diaktifkan seperti
biasa tetapi data yang diberikan adalah 4 word sekaligus (1 word tergantung
satuan ukuran untuk DRAM yang bersangkutan,biasanya sama dengan 1byte).Data 4
word ini adalah pada baris yang sama,yang disebut juga dengan page,kemudian/CAS
diaktifkan untuk memilih satu salah satu word,dan data diberikan ke CPU.Setelah
ini/RAS dibiarkan tetap aktif sampai pembacaan 3 word berikutnya.
Jadi pembacaan pada empat kolom yang
berbeda pada baris yang sama hanya melibatkan sekali pengaktifan dan
penonaktifan /RAS disertai dengan pengaktifan dan penonaktifan /CAS sebanyak
empat kali.Hal ini tentu menhemat waktu dan meningkatkan kinerja DRAM,serta menghemat
daya listrik.
Dalam proses seperti ini,pembacaan word
yang pertama membutuhkan waktu yang lebih lama daripada ketiga word
berikutnya.Misalnya pembacaan pertama butuh cycle CPU sebesar 5 dan ketiga
pembacaan berikutnya masing-masing membutuhkan 3 cycle,untuk sebuah DRAM akan
diberi label: 5-3-3-3.Notasi x-y-y-y ini biasa digunakan untuk menjelaskan
latency yang berkaitan dengan clock cycle.
2.EDO DRAM
EDO (extended data out) DRAM mirip dengan
Fast Page Mode DRAM tetapi dengan tambahan fitur bahwa siklus akses baru dapat
dimulai lagi sementara output (keluaran) data dari siklus sebelumnya masih
belum selesai.jadi di sini “Tumpang-Tindih”pekerjaan,yaitu pekerjaan sebelumnya
belum selesai sementara pekerjaan baru sudah dimulai.Hasilnya,ada penigkatan
kerja.EDO lebih cepat 5 persen daripada FPM.
Karena lebih cepat dari FPM,EDO dapat
diterapakan pada kecepatan bus yang lebih tinggi.Denagn EDO,kecepatan bus 66MHz
mencapatai latency 5-2-2-2 pada 66MHz.EDO DRAM banyak digunkan pada PC yang
kecepatan bus-nya 66MHz pada tahun 1997 sampai 1998.Intel mulai mendukung EDO
DRAM ketika memeperkenalkan chipset 430FX pada tahun 1995.EDO DRAM tersedia
untuk PC pentium.EDO DRAM juga mulai banyak dipakai pada video card pada akhir
dekade 1990-an.DRAM jenis ini murah dan kinerjanya lebih efisien daripada VRAM
yang mahal.
EDO DRAM disempurnakan menjadi Burst EDO
(BEDO) DRAM.BEDO DRAM dapat memproses empat alamat memori dalam sekali burst.Hal
ini dilakukan dengan menambah addres counter pada chip untuk memantau alamat
(addres) berikutnya.BEDO DRAM juga dilengkapi dengan tambahan fitur pipelined
stage untuk meningkatkan waktu akses hingga 50% dibandingkan dengan EDO DRAM.
Walaupun BEDO DRAM memiliki kinerja yang
jauh lebih baik daripada EDO tetapi tak
sempat populer di pasaran.Ketika BEDO DRAM tersedia,pasar sudah terlanjur
berinvestasi pada Synchronus DRAM (SDRAM).
3. SYNCHORONOUS DRAM (SDRAM)
Tahun 1998 SDRAM menggantikan EDO DRAM
untuk PC dan notebook.SDRAM memiliki clocked interface yang berkecepatan tinggi
yang digunakan untuk menyajikan informasi dengan kecepatan tinggi.SDRAM
disinkronisasi dengan bus memori atau clock CPU.SDRAM menghilangkan latency
yang biasa ada pada Asynchoronous DRAM karena sinyal sudah disinkronisasi
denagn clock dari motherboard.
Karena SDRAM masih merupakan DRAM sehingga
latency awal masih sama dengan jenis memori DRAM sebelumnya tetapi keseluruhan
waktu siklus jauh lebih cepat daripada FPM maupun EDO.Timing untuk akses SDRAM
adalah 5-1-1-1.Ini berarti empat pembacaan memori dibutuhkan delapan siklus
(cycle) dari bus sistem,bandingkan denagn EDO yang 11 cycle (5-2-2-2) dan 14
cycle (5-3-3-3) untuk FPM.Denagn begitu SDRAM hampir 20 persen lebih cepat
daripada EDO.
Mulai tahun 1997 denagn chipset 430VX dan
430TX,Intel mulai mendukung SDRAM.Selanjutnya sebagian besar chipset intel
mendukung memori ini,sehingga SDRAM menjadi sangat populer untuk PC baru pada
tahun 2000 sampai 2001.
4. DDR SDRAM
DDR (double-data-rate) SDRAM merupakan
pengembangan dari SDRAM standar.DDR SDRAM mentransfer data dua kali lebih cepat
daripada SDRAM.Untuk mecapai ini DDR SDRAM tidak menggandakan clock rate tetapi
menggandakan data yang ditransfer per siklus trasnfer (disebut juga dengan
double pumping).
Pada SDRAM,transfer perintah,alamat,dan
data selalu pada rising edge (sisi naik) dari clock.(Bayangkan siklus clock
yang digambarkan seperti gelombang digital yang dimulai dengan sisi naik,mendatar,turun,dan
seterusnya.).Tetapi pada DDR DRAM,transfer perintah dan alamat pada “sisi
naik”dari clock,dan tidak seperti SDRAM,DDR mentransfer data baik dari “sisi
naik” dan “sisi turun” dari siklus clock.Sehingga DDR dapat mentransfer dua
word data per siklus clock,sedangkan SDRAM hanya satu per siklus clock.itulah
sebabnya penerus SDRAM ini disebur double-data-rate
(DDR).
5. RDRAM
Rambus DRAM atau RDRAM (disebut juga Direct
Rambus DRAM atau DRDRAM) termasuk synchronous DRAM yang dirancang oleh Rambus
Corporation.Seperti DDR DRAM,RDRAM juga menggunakan teknik transfer data
pada”sisi naik” dan “sisi turun” sinyal clock.Kemasan RDRAM disbut juag RIMM
(Rambus in-line memory module) dengan 184-pin.
Motherboard yang mendukung RDRAM muncul
tahun 1999.RDRAM dirancang pertama untuk mendukung mikroprosesor pentium
4.Intel telah menanda tangani kontrak dengan Rambus pada tahun 1996 yang
berkomitmen untuk mendukung RDRAM hingga 2001.Tetapi selanjutnya intel tidak
mendukung RDRAM.Selain itu hanya sedikit pula manufaktur lain memproduksi
RDRAM.Harga RIMM saat itu lebih mahal dari pada modul DDR SDRAM.Akhirnya DDR
SDRAM secar de facto menguasai pasar.
6. DDR2 SDRAM
Pengembangan DDR SDRAM berikutnya adalah
DDR2 SDRAM yang lebih cepat.Seperti pada SDRAM,DDR2 menyimpan memori pada sel
memori yang diaktifkan denagn penggunaan sinyal clock intuk mensinkronisasikan
operasinya dengan bus data eksternal.Seperti DDR sebelumnya,transfer DDR2
pada”sisi naik” dan “sisi turun” dari sinyal clock.Perbedaan keduanya adalah
bahwa DDR2 sel memori disinyali denagn clock seperempat (bukan setengah) dari
clock bus.Dengan demikian DDR2 secara efektif dapat beroperasi dua kali dari
kecepatan bus DDR.
Selain kecepatan dan bandwith besar,DDR2
SDRAM memiliki keunggulan lain,yaitu tegangan listrik lebih rendah daripada
yang digunkan oleh DDR,yaitu,1,8 VOLT-bukan lagi 2,5 VOLT.Karena itu konsumsi
daya litrik menjadi jauh lebih kecil dan suhunya pun menjadi lebih rendah.
7. DDR3 SDRAM
DDR2 SDRAM disempurnakan lagi menjadi DDR3
SDRAM,tetapi keduanya tidak kompatibel.DDR3 mentransfer data dua kali lebih
cepat dari pada DDR2.Selain itu DDR3
memungkinkan penggunaan chip berkapasitas 512 megabit hingga 8gigabit,sehingga
ukuran satu modul memori maksimum 16GB.
Lagi-lagi DDR3 merupakan spesifikasi dari
interface DRAM,sedangkan array dari DRAM menyimoan data tetap sama dengan tipe
Dram sebelumnya dan juag memiliki kineja yang sama.DDR3 mengkonsumsi daya
listrik 30% lebih rendah dari pada DDR2,DDR3 menggunakan tegangan llistrik 1,5
VOLT.Tegangan 1,5 VOLT bekerja baik pada teknologi fabrikasi 90 nanometer yang
digunkan oleh chip DDR3.
DDR3 dapat mentransfer data pada clock 1/0
400-1600MHz.Prototipe DDR3 muncul pada awal tahun 2005,dan produknya muncul
pada tahun 2007 dengan DIMM DDR3-1600 yaitu memiliki memori clock 200MHz,1/0
bus clock 800MHz,dan data rate 1600MT/s.Memori ini juga disebut denagn
PC3-12800 yang berarti transfer rate-nya 12800MB/s.Mikroprosesor intel core i7
yang diluncurkan pada 2008 yang terhubung langsung ke memori (bukan melalui
chipset) hanya mendukung memori DDR3.Sedangkan AMD mulai mendukung DDR3 pada
tahun 2008 ketika mengeluarkan mikroprosesor Phenom2 X4 yang menggunkan soket
AM3.DIMM inutk DDR3 memiliki 240 pin,sedangkan SO-DIMM-nya memiliki 204-pin.
8.
DDR4 SDRAM
DDR4 ialah kepanjangan dari Double Data
Rate generasi ke 4. Ialah sebuah memori RAM generasi terbaru dengan berbagai
fitur yang telah di canggihkan. RAM DDR4 akan di pasarkan pada tahun 2014 dan
datang mulai dari ukuran 2, 4, 8, dan 16 GiB.
Vendor pertama yang mulai menciptakan RAM
DDR4 ini ialah dari produk Samsung pada bulan Januari 2011. Dan disusul oleh
Hynix, dan Micron Tech. Dan produk saat ini yang sedang memproduksi RAM DDR4
ini ialah Samsung, Hynix, Micron, Crucial, Intel, OCZ, dsb.
Perbedaan yang paling mencolok dari DDR4
ini ialah dari notch / sebuah cohak pada kaki tembaga, frekuensi clock yang
semakin tinggi, dan voltase yang semakin rendah.
Frekuensi clock pada DDR4 ini telah
mencapai kecepatan 2133 hingga 4266 MT/s (Million Transfer / second). Tentu ini
akan berbeda dengan DDR3 yang hanya mencapai 800 hingga 2133 MT/s.
Voltase pada DDR4 ini ialah 1,05v hingga
1,2v. Dan tentu saja berbeda dengan DDR3 yang memiliki voltase 1,2v hingga
1,65v. Bila semakin rendah voltase pada suatu RAM, maka RAM tersebut tidak
cepat panas. Bahkan akan semakin dingin.
Sejarah pada RAM DDR4, ialah dimulai pada
bulan Februari 2009. Produk dari Samsung dimulai dengan langkah pabrikasi 50
nm. Dan pada bulan Januari 2011, Samsung mengeluarkan produk RAM DDR4 dengan
ukuran 2 GiB. Dan didasarkan atas pabrikasi 30 nm hingga 39 nm. Dengan memiliki
kecepatan 2133 MT/s pada voltase 1,2v.
baca juga definisi dan awal mula ram
oke mungkin sekian dulu thanks.
